作者 主题:EEVblog#607-Agilent B2912A源测量单元SMU拆卸 (Read 29727 times)

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« 在以下问题上回复#50: 2014年5月15日,上午11:34:16»
不错的拆解 :)

请进行工作审查, 安捷伦测量有一些基本视频, 但深度不大。

想在黑暗中以及照明时看到玻璃体二极管的泄漏-记得鲍勃·皮斯(Bob Pease)在20多年前就做了些什么。


预计到达时间:吉时利通过将前端推出DUT来解决电缆噪声的问题:

http://www.keithley.com/products/dcac/sensitive/highresistance/?mn=6430



我总是把它拼写成shmoo :D
« 上次编辑:2014年5月15日,上午11:49:46 »
 

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« 在以下回复#51: 2014年5月15日,上午11:56:07»
想在黑暗中以及照明时看到玻璃体二极管的泄漏-记得鲍勃·皮斯(Bob Pease)在20多年前就做了些什么。

我关于吉时利2450 SMU的视频

在线的 jpb

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« 在以下回复#52: 2014年5月15日,下午01:05:09»
第二个问题是,当今的小型半导体的温度时间常数比10us快10-100倍。因此,曲线会因各种温度效应而失真。
看到仪器内部并了解它们可以测量的直流精度非常有趣,但是对于许多半导体器件(例如FET)而言,结果曲线仅用于估算直流偏置点。

许多设备的电荷被困在深能级(通常与半导体表面物理关联),其时间常数比RF慢得多,因此当设备在RF下工作时,其遵循的曲线可能与在慢速下测得的曲线完全不同。直流条件。

这是我最关心的话题,因为我是从另外两家公司开始的一家小型公司,与另一家小型公司一起开发了一种脉冲测量系统,该系统的测量速度快于时间常数。

这种差异可能是惊人的,因为某些SiC功率器件在表面状态中捕获的电荷导致栅极电压被表面电荷固定时,直流曲线(如在SMU上进行测量)之间的间距很小,或多或少地塌陷为一条曲线。

因此,对半导体器件进行超精确的直流测量,然后将其用于模型之类的大信号香料,甚至只是估计您可能获得的A类功率,都可能导致比使用便宜的台式电源大得多的严重误差。供应和袖珍DVM可获得相同的曲线!

特性曲线取决于设备的偏置位置以及测量它们的速率。

并非所有的设备都是如此,我们研究的一些设备在脉冲和直流测量之间显示出非常接近的一致性。由于热效应,总会有一些差异。



 

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« 在以下回复#53: 2014年5月15日,下午05:00:51»
想在黑暗中以及照明时看到玻璃体二极管的泄漏-记得鲍勃·皮斯(Bob Pease)在20多年前就做了些什么。

我关于吉时利2450 SMU的视频


出色的。  Thanks!
 

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« 在以下回复#54: 2014年5月21日,上午7:31:59»
第二个问题是,当今的小型半导体的温度时间常数比10us快10-100倍。因此,曲线会因各种温度效应而失真。
看到仪器内部并了解它们可以测量的直流精度非常有趣,但是对于许多半导体器件(例如FET)而言,结果曲线仅用于估算直流偏置点。

许多设备的电荷被困在深能级(通常与半导体表面物理关联),其时间常数比RF慢得多,因此当设备在RF下工作时,其遵循的曲线可能与在慢速下测得的曲线完全不同。直流条件。

这是我最关心的话题,因为我是从另外两家公司开始的一家小型公司,与另一家小型公司一起开发了一种脉冲测量系统,该系统的测量速度快于时间常数。

这种差异可能是惊人的,因为某些SiC功率器件在表面状态中捕获的电荷导致栅极电压被表面电荷固定时,直流曲线(如在SMU上进行测量)之间的间距很小,或多或少地塌陷为一条曲线。

因此,对半导体器件进行超精确的直流测量,然后将其用于模型之类的大信号香料,甚至只是估计您可能获得的A类功率,都可能导致比使用便宜的台式电源大得多的严重误差。供应和袖珍DVM可获得相同的曲线!

特性曲线取决于设备的偏置位置以及测量它们的速率。

并非所有的设备都是如此,我们研究的一些设备在脉冲和直流测量之间显示出非常接近的一致性。由于热效应,总会有一些差异。

您能否给我们一些有关您的产品或产品计划的信息。我对专用设备测试以及影响我们产品的半导体效应建模感兴趣。铸造厂喜欢压制这些关键信息,因为只有一些客户必须与这些客户合作,而其他大多数客户会感到恐惧,最终这些努力将不会得到回报。
 

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« 在以下回复#55: 2014年5月21日,上午11:22:14»
您能否给我们一些有关您的产品或产品计划的信息。我对专用设备测试以及影响我们产品的半导体效应建模感兴趣。铸造厂喜欢压制这些关键信息,因为只有一些客户必须与这些客户合作,而其他大多数客户会感到恐惧,最终这些努力将不会得到回报。
我离开该领域已有十年,但根据我以前的经验,事情可能已经避开了't changed much!

我们生产的仪器称为DiVA,它允许您设置一个偏置点,然后通过将电压变化脉冲化到栅极和漏极(对于FET)来测量该偏置点的曲线,每个脉冲后电压又返回偏置点。最短的脉冲(按今天的标准)是相当慢的100nsec,但是我们发现它的速度足够快,快于捕获电荷的深能级的时间常数,并避免了热变化(曲线移动的另一个原因)。

从我们的小公司那里购买了技术的Accent自己被买断了,我为之工作了5年,在这个过程中,我认为DiVA不再生产了。其他各种公司正在生产竞争对手的产品(例如我认为的吉时利),'d猜测这些仍是制造的。

您可能会使用双通道波形发生器,示波器和许多繁琐的摆弄来执行相同类型的测量,尽管这可能会将您限制在相当小的电压范围内。您必须小心一些,因为时序可能是个问题(例如,如果您的功率受限的设备在接近关闭状态时偏置在高VDS上,并且您想在低VDS情况下降低到开启状态,则必须确保不要让栅极脉冲领先于漏极脉冲,否则您可能会杀死设备)。


本硕士论文有两条曲线(图4.1和4.2)

http://etd.fcla.edu/SF/SFE0000249/CharlesBaylisFinalSubmissionMastersThesis.pdf

该论文还包含一些参考资料,但我只是尝试了以下我们撰写的《微波杂志》文章:

http://www.microwavejournal.com/articles/3414-the-importance-of-the-current-voltage-characteristics-of-fets-hemts-and-bipolar-transistors-in-contemporary-circuit-design

而且我发现这些数字都是错误的-就我所知,它们不是晶圆上的RF探针图,而是我们的数字! :palm:

如果您有大量现金,则可以使用Auriga /安捷伦工具包:

http://www.home.agilent.com/agilent/editorial.jspx?cc=GB&lc=eng&ckey=1963507&nid=-11143.0&id=1963507

但是如果你'重新使用铸造厂最大的问题可能是访问测试设备。

如果您使用Google脉冲I-V测量系统,'我会发现很多事情发生,例如。莫里微波系统:

http://www.amcad-engineering.com/IMG/File/Pulsed%20IV_product_feature.pdf

尽管我看到它仅下降到200 ns,这可能有点慢。
 

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« 在以下回复#56: 2014年5月21日,下午2:45:48»
您能否给我们一些有关您的产品或产品计划的信息。我对专用设备测试以及影响我们产品的半导体效应建模感兴趣。铸造厂喜欢压制这些关键信息,因为只有一些客户必须与这些客户合作,而其他大多数客户会感到恐惧,最终这些努力将不会得到回报。
我离开该领域已有十年,但根据我以前的经验,事情可能已经避开了't changed much!

我们生产的仪器称为DiVA,它允许您设置一个偏置点,然后通过将电压变化脉冲化到栅极和漏极(对于FET)来测量该偏置点的曲线,每个脉冲后电压又返回偏置点。最短的脉冲(按今天的标准)是相当慢的100nsec,但是我们发现它的速度足够快,快于捕获电荷的深能级的时间常数,并避免了热变化(曲线移动的另一个原因)。

从我们的小公司那里购买了技术的Accent自己被买断了,我为之工作了5年,在这个过程中,我认为DiVA不再生产了。其他各种公司正在生产竞争对手的产品(例如我认为的吉时利),'d猜测这些仍是制造的。

您可能会使用双通道波形发生器,示波器和许多繁琐的摆弄来执行相同类型的测量,尽管这可能会将您限制在相当小的电压范围内。您必须小心一些,因为时序可能是个问题(例如,如果您的功率受限的设备在接近关闭状态时偏置在高VDS上,并且您想在低VDS情况下降低到开启状态,则必须确保不要让栅极脉冲领先于漏极脉冲,否则您可能会杀死设备)。

尽管我看到它仅下降到200 ns,这可能有点慢。

感谢您的出色工作。

是的,200ns太慢了。问题更多的是小型铸造设备而不是大型封装的分立设备,因为热时间常数与设备尺寸的平方成正比。

我认为最好使用直接连接到探头的接口电路,而不是使用Bias-T。在当前领域,为各种设备提供服务的问题更多,例如口香糖图或亚阈值。因此,在源极/发射极和ARB驱动的栅极/基极和漏极/集电极电压源上的高电流范围输入是最有效的。高电流范围由具有多个电子开关反馈电阻的运算放大器实现。然后,频率补偿和速度取决于当前范围,但这是我到处期望的行业。然后,此输出将馈送到ADC,并将孔填充放入脚本控制中。我猜想,对于12位DAC + 12位ADC,对于mA范围,周期时间可能会长达10ns。速度与电流的临界点是探头的无源虚拟接地电容。因此,在探头头上直接使用一块单独的小板与OpAmp和MUX-R应该可以实现最佳交易。

副作用是,也可以通过使用栅极上的低电流输入并驱动源极和漏极上的斜坡来测量Q(V)。

这是AMCAD的DUT电路&Maury
« 上次修改时间:2014年5月21日,下午02:48:38 by rf-design »
 

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« 在以下回复#57: 2014年5月21日,下午03:24:11»
我认为最好使用直接连接到探头的接口电路,而不是使用Bias-T。

你'关于偏置T的说法非常正确,尤其是针对直流而非脉冲设计的偏置T。我们没有'不要将它们与DiVA一起使用。但公平地说,该系统的设计人员认为,偏差T允许我猜到大信号S参数(尽管我可以'记住大信号S参数实际上是在脉冲时间内在每个点上测量的大信号S参数还是小信号S参数。)
 

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« 在以下回复#58: 2015年10月16日,下午04:23:17»
戴夫在视频中提到的部分(25') is a Sanyu's reed relay.  :D

对不起,我的英语很烂 :(
« 上次修改时间:2015年10月16日,下午4:33:51 by gamalot »
 

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« 在以下回复#60: 十一月12,2017,12:05:25下午»
嗨,大家好,
我刚刚经历了B2912A的拆解。确实令人印象深刻的设备,但拆卸让我思考了此SMU的实际工作原理。内部电源产生+和-245V,很好。然后,它使用两个恒流源,一个向+ 245V供电,另一个向-245V供电。电流源基本上与恒流电子负载,mosfet和OPA以及分流电阻器相同。一切都很好,但我很感兴趣。如果您有两个电流源,那么SMU如何在恒压模式下运行?例如,如果没有连接负载,如何订购它以产生12V输出?即使您订购最大的电流源只允许1uA的电流通过,输出上的电压也将(几乎)是整个245V。任何人都知道简历部分如何工作吗?

伊沃
 

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« 在以下回复#61:2017年年11月16日,晚上10:52:31»
我们学校里有一架B2912A,很高兴看到该仪器的内部。
谢谢
我已经看了很长时间的视频,今天才在这里注册。
 


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