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第二个问题是，当今的小型半导体的温度时间常数比10us快10-100倍。因此，曲线会因各种温度效应而失真。

引用自：rf-design于2014年4月28日，上午10:58:44

第二个问题是，当今的小型半导体的温度时间常数比10us快10-100倍。因此，曲线会因各种温度效应而失真。

看到仪器内部并了解它们可以测量的直流精度非常有趣，但是对于许多半导体器件（例如FET）而言，结果曲线仅用于估算直流偏置点。

许多设备的电荷被困在深能级（通常与半导体表面物理关联），其时间常数比RF慢得多，因此当设备在RF下工作时，其遵循的曲线可能与在慢速下测得的曲线完全不同。直流条件。

这是我最关心的话题，因为我是从另外两家公司开始的一家小型公司，与另一家小型公司一起开发了一种脉冲测量系统，该系统的测量速度快于时间常数。

这种差异可能是惊人的，因为某些SiC功率器件在表面状态中捕获的电荷导致栅极电压被表面电荷固定时，直流曲线（如在SMU上进行测量）之间的间距很小，或多或少地塌陷为一条曲线。

因此，对半导体器件进行超精确的直流测量，然后将其用于模型之类的大信号香料，甚至只是估计您可能获得的A类功率，都可能导致比使用便宜的台式电源大得多的严重误差。供应和袖珍DVM可获得相同的曲线！

特性曲线取决于设备的偏置位置以及测量它们的速率。

并非所有的设备都是如此，我们研究的一些设备在脉冲和直流测量之间显示出非常接近的一致性。由于热效应，总会有一些差异。

引用自：2014年5月21日，rf-design，上午07:31:59

您能否给我们一些有关您的产品或产品计划的信息。我对专用设备测试以及影响我们产品的半导体效应建模感兴趣。铸造厂喜欢压制这些关键信息，因为只有一些客户必须与这些客户合作，而其他大多数客户会感到恐惧，最终这些努力将不会得到回报。

我离开该领域已有十年，但根据我以前的经验，事情可能已经避开了't changed much!

我们生产的仪器称为DiVA，它允许您设置一个偏置点，然后通过将电压变化脉冲化到栅极和漏极（对于FET）来测量该偏置点的曲线，每个脉冲后电压又返回偏置点。最短的脉冲（按今天的标准）是相当慢的100nsec，但是我们发现它的速度足够快，快于捕获电荷的深能级的时间常数，并避免了热变化（曲线移动的另一个原因）。

从我们的小公司那里购买了技术的Accent自己被买断了，我为之工作了5年，在这个过程中，我认为DiVA不再生产了。其他各种公司正在生产竞争对手的产品（例如我认为的吉时利），'d猜测这些仍是制造的。

您可能会使用双通道波形发生器，示波器和许多繁琐的摆弄来执行相同类型的测量，尽管这可能会将您限制在相当小的电压范围内。您必须小心一些，因为时序可能是个问题（例如，如果您的功率受限的设备在接近关闭状态时偏置在高VDS上，并且您想在低VDS情况下降低到开启状态，则必须确保不要让栅极脉冲领先于漏极脉冲，否则您可能会杀死设备）。

尽管我看到它仅下降到200 ns，这可能有点慢。