作者 主题:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管 (Read 20687 times)

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EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« on: 2016年8月6日,06:28:27»
基本面星期五。
齐纳二极管的教程。
雪崩击穿,齐纳故障,齐纳效应,膝关节电压,功耗,常规二极管的差异,计算滴管电阻值,电压调节,剪裁,夹紧,瞬态浪涌过压保护,特征曲线,前向和反向特性。

 

 离线 凯瑞瓦

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#1开: 2016年8月6日,02:51:48 PM»
齐纳二极管非常好,但你遗漏了一个大的"陷阱年轻球员":温度补偿齐纳。

温度补偿齐纳具有与之相同的符号"regular"齐纳,但他们不在前进方向行事! 因此,对于您的AC夹,您需要并行地将温度补偿齐纳置于串联。 在保护电路中,它们不会防止负电压。 您需要一个并行二极管。

一个准确的测量值得一千个专家意见
- ADM。Grace Hopper
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#2开: 2016年8月06日,07:21:18 PM»
我还要在齐纳和晶体管调节器周围进行一些理论,例如: 




以及这些监管机构如何应对所有SPECT,功率浮动,速度,准确性,功率下降等现代李皮达调节器。
« 上次编辑:2016年8月06,07:29:24 Gemby »
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#3开: 2016年8月06日,09:15:48 PM»
如果我有一个用作UC输入的保护装置的3V齐纳,我应该希望看到电压降吗?

我有一个分压器,将16V下降到3V,我将其放入UC输入,工作正常,我考虑添加一个Zd以保护分配器的输入超过16V但是我看到0.3V下降ZD电路。  I didn'T有一个系列限制电阻,可能导致下降?它用于V监控而不是驱动电流。
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#4开: 2016年8月6日,晚上10:25:12 PM»
如果我有一个用作UC输入的保护装置的3V齐纳,我应该希望看到电压降吗?

我有一个分压器,将16V下降到3V,我将其放入UC输入,工作正常,我考虑添加一个Zd以保护分配器的输入超过16V但是我看到0.3V下降ZD电路。  I didn'T有一个系列限制电阻,可能导致下降?它用于V监控而不是驱动电流。

二极管从未阻止电流100%;他们有个"reverse leakage"随着电压的增加而上升。 就在击穿电压下,3V齐纳可以进行几百ua或其他东西。想象一下,与分频器的那个腿平行地将15k电阻平行:结果电压随着结果而下降。如果您使用过6V齐纳,可能会不会'T能够测量偏移 - 二极管将是一直进行一些NA。

如果您已将另一个与齐纳系列的电阻器包含在内,则效果将减少但未被淘汰。
我只是一个鸡蛋
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#5: 2016年8月07日,12:51:04»
膝盖的血腥齐纳及其ACL反向击穿电压......  >:D
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#6开启: 2016年8月07日,01:55:19 AM»
如果我有一个用作UC输入的保护装置的3V齐纳,我应该希望看到电压降吗?

我有一个分压器,将16V下降到3V,我将其放入UC输入,工作正常,我考虑添加一个Zd以保护分配器的输入超过16V但是我看到0.3V下降ZD电路。  I didn'T有一个系列限制电阻,可能导致下降?它用于V监控而不是驱动电流。

二极管从未阻止电流100%;他们有个"reverse leakage"随着电压的增加而上升。 就在击穿电压下,3V齐纳可以进行几百ua或其他东西。想象一下,与分频器的那个腿平行地将15k电阻平行:结果电压随着结果而下降。如果您使用过6V齐纳,可能会不会'T能够测量偏移 - 二极管将是一直进行一些NA。

如果您已将另一个与齐纳系列的电阻器包含在内,则效果将减少但未被淘汰。

那么,你说ZD导致一些寄生抵抗输出导致另一个鸿沟?
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#7: 2016年8月7日,02:31:46»
我还要在齐纳和晶体管调节器周围进行一些理论,例如: 




以及这些监管机构如何应对所有SPECT,功率浮动,速度,准确性,功率下降等现代李皮达调节器。

它们可以是良好的基本监管机构,在所有方面,它们都比单独的齐纳更好,总而言之(加上他们可以消散距离静态电流的数量级)。它们所需要的只是一个额外的晶体管实现,因此成本最小。

只需确保考虑晶体管'S VBE下降。例如,如果您想要5V输出,则需要5.6V齐纳(自VBE大约600mV)。



也就是说,您可以在SOT-23封装中获得线性调节器,该包装将与相同的工作,相同的价格(或更少),具有更好的调节,速度,且仅静态电流的UA,所以在那里'你没有多少地方'D目前需要使用齐纳+晶体管调节器。
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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#8开: 2016年8月7日,10:22:51 AM»
如果您想使用二极管构建模拟噪声发生器,请执行一些有趣的事实:

//en.wikipedia.org/wiki/Noise_generator

所以看起来像使用雪崩效果时,噪声频率频谱比某些二极管为1 Hz到100kHz的噪声频谱(白噪声):

http://www.edn.com/design/analog/4420926/White-noise-source-flat-from-1Hz-to-100kHz

顺便说一下,用FPGA一次 我实施了 一个白色的噪音发生器 规则30. 。噪音看起来很好(如果你远离奈奎斯特频率),但需要比LFSR更多的LES。
这么久,谢谢你所有的鱼
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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#9: 2016年8月7日,11:51:35 AM»
无论如何,齐纳很吵。那's why it'在监管机构中使用它们并不是一个非常好的想法。
It'对于不太敏感的路线的电路很好。
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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#10: 2016年8月7日,晚上12:34:10»
我最近不得不逆转我的烙铁,它绝对绝对地使用齐纳和大型电阻。  Perhaps it'比vregs更便宜吗?

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#11开: 2016年8月7日,04:55:09 PM»
当我在60年代的ee学生时,齐纳二极管比较多,大约十年。所以当戴夫说,齐纳博士在我们任何一个出生之前都很长时间出现了齐纳效应,我持怀疑态度。

但是一项小型研究提出了1934年的论文,11年前在我出生之前。因此,在纸张中的理论浮出水面,在一个有用的装置中,这是大约20年。

此外,Zener博士发表了他的名字zee ner,而不是zen ner。
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#12: 2016年8月7日,05:39:55 PM»
非常好的视频。我想看看更像这样。

齐纳二极管的I / V图应翻转在水平方向上。也就是说,齐纳的影响应该是正电压。这与他们的用例更符合。也就是说,在其齐纳区域的4V齐纳二极管具有'4V, not '-4V'. Yes, I know, it'是一个公约问题。

顺便说一句,我总是假设选择了齐纳符号,因为它类似于'Z'(和肖特基符号'S').
排出沼泽。
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#13开启: 2016年8月7日,晚上10:26:10»
基本面星期五。
齐纳二极管的教程。

校正视频中的29:00。概述:不是动态阻力,而是rc效果,与齐纳显示可观的C.

戴夫使用5.1V齐纳二极管作为信号夹进行讨论。他演示了一个电压分压器的电压分频器,然后是5.1V齐纳到地。 范围显示7V方波输入和〜5.1V输出信号,如所预期的。 放大到50ns时位,范围显示输出波形的前沿,慢速上升时间。



(然后戴夫重复了100欧姆|| 1K的演示,所以r = 90欧姆,并且显示得更快但仍然放缓的时间。)

Dave将此属于动态电阻。一世'M相当确定的效果是由于输入电阻与齐纳电容(以及范围探头的电容的效果'S设置为10倍,如此最小)。 计算:从大约1V到5V(如63%:-))的上升时间为150ns,其与R = 1K给出约150pf的电容。 例如,与数据保持良好,例如: //www.onsemi.com/pub/Collateral/HBD854-D.PDF page 25.



[后来编辑]它发生在我的地方"dynamic resistance" 进入游戏是在上升的顶部,输出从〜5.1V的升高到水平的转换。

动态电阻真的只是一种表征I VS V曲线的斜率的方式,将其塑造为理想的齐纳(在膝盖上或膝盖上的膝盖5.1V),其串联是一种阻力......但是考虑到膝关节电压上方的曲线不是直线,因为电阻会提供。相反,它'弯曲,对应于齐纳的稍微逐渐开启,因此"dynamic" resistance.

在演示中,在上升沿,输出电压升高,rc速度,直到它达到5.1V附近。在5.1V下,通过理想的齐纳,输出电压将突然过渡到水平线。但它没有 - 它从上升到平坦时弯曲。那's due to the Zener'■仅从高电阻(低于5.1V)到低电阻(高于5.1V)的逐渐过渡。 在90欧姆示例中非常明显:




所以"dynamic resistance"确实展示了范围。但是它'S没有引起最显着的特征(缓慢上升时间),而是从升至平坦的非急剧过渡。
格雷厄姆
« 上次编辑:2016年8月8日,09:27:11 AM由Gwideman »
 
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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#14: 2016年8月7日,晚上11:31:18»
嗨戴夫,
谢谢你那个良好的教育视频。
组件测试仪的图表显示了相似的斜坡
在前进和反向操作区域中的曲线。因此,为什么不使用串联的几个标准二极管并转发偏见让我们说出5.4V(9 * 0.6V)的电压参考(或钳位电压)而不是仅使用一个5.1V(让我们忽略这里0.3V的差异齐纳?确定它使用九1n4148更昂贵,但嘿....从纯粹的技术点少了?为什么不!?!?
我还可以想到一些基于单个晶体管的电流源,使用齐纳二极管作为参考,但也使用LED或标准
前向偏见的二极管。
找出你无法做到的,然后去做吧!
 

 离线 Gwideman.

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#15: 2016年8月08日,01:14:10 AM»
那么为什么不使用[...] 九1N4148 [串联,正向偏见]

二极管在特定电压(I VS V在0.6V时不垂直时,二极管不会急剧接通的程度由其串联电阻表示。 (并且那条线被弯曲对应于"dynamic resistance".)

如果你在系列中连接九个二极管,那么九次串联电阻,所以垂直九次垂直vs v线,所以说话。 因此,九1N4148的调节能力'S串联(例如)5.4V比0.6V的单个1N4148差9倍。 (由Deltav / Deltai或互惠判断)
 

 离线 Tom45

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#16开: 2016年8月8日,03:13:41»
在澳大利亚,我总是听到并假设它可能是因为英国的方式,我们说zed不是zee。从现在开始,我会终于说Zeener。虽然我也会平静地继续接受Zen-er。

我想也应该始终将名称齐纳的名字。我臭名昭着的东西。欧姆赫斯特斯赫兹等等。

直到戴夫'视频我不知道有一个名叫zener的人。像它一样的名称可以由营销委员会创建。

对于那些感兴趣的人,您可以阅读Clarence Zener's obituary at:
http://www.nytimes.com/1993/07/06/obituaries/clarence-m-zener-87-physicist-and-professor-at-carnegie-mellon.html
 

 离线 b_force.

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#17开: 2016年8月08日,06:29:24»
此外,Zener博士发表了他的名字zee ner,而不是zen ner。

在澳大利亚,我总是听到并假设它可能是因为英国的方式,我们说zed不是zee。从现在开始,我会终于说Zeener。虽然我也会平静地继续接受Zen-er。

我想也应该始终将名称齐纳的名字。我臭名昭着的东西。欧姆赫斯特斯赫兹等等。
jeez,如果我们要落下发音,而且我们可以制作一个巨大的名单,了解英语扬声器如何完全错误,反之亦然。
电压例如完全'wrong' in English. :-//
一般来说,有很多原始的法语单词中的英语,但不明显法国方式。

在那之上,你只有有折音,俚语和方言的差异。
(我可以告诉你'Murican English is与猕猴桃和英国人不同,即使是技术术语)
« 上次编辑:2016年8月8日,06:47:33 AM by B_Force »
"If you can'简称它只是(或根本),你不解释'不太了解它。" A. Einstein

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#18开启: 2016年8月8日,08:59:23 AM»
此外,Zener博士发表了他的名字zee ner,而不是zen ner。

在澳大利亚,我总是听到并假设它可能是因为英国的方式,我们说zed不是zee。从现在开始,我会终于说Zeener。虽然我也会平静地继续接受Zen-er。

在美国,我在业余无线电呼叫标志中使用z的z,从而从不习惯的人的第二个外观,但zee并不像截然不同。

对于美国观察者,戴夫'对于他的澳大利亚英语来说,视频有很多娱乐价值。
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#19: 2016年8月8日,09:02:29»
在美国,我在业余无线电呼叫标志中使用z的z,从而从不习惯的人的第二个外观,但zee并不像截然不同。
:-+

引用
对于美国观察者,戴夫'对于他的澳大利亚英语来说,视频有很多娱乐价值。
我没有't noticed.....  :D
 

 离线 Zapta.

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#20开: 2016年8月8日,02:04:55 PM»


引用
对于美国观察者,戴夫'对于他的澳大利亚英语来说,视频有很多娱乐价值。
我没有't noticed.....  :D

你已经习惯了。

排出沼泽。
 

 在线的 Kleinstein

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#21开: 2016年8月08日,07:39:25 PM»
串联的许多正常二极管不是一个很好的替代品。它'S不是如此串联电阻,但温度依赖性相当差。然而,对于相当低的电压,如2 V,类似于2或3个硅二极管或LED可能是替代的。一些低压齐纳二极管实际上是正向偏置二极管而不是真正的齐纳二极管。   
 

 离线 g0hjq

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#22: 2016年8月8日,晚上10:36:01»
谢谢戴夫,

It'很高兴周五的基础知识。我最喜欢的博客部分,绝对是最受教育的。

 :-+
 

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#23开: 2016年8月9日,01:14:39 PM»
替代保护输入使用两个肖特基二极管(通常在一个SOT-23封装中)。 D1:地面阳极,信号线阴极; D2:PSU轨道上信号线和阴极上的阳极。优点是正瞬变被夹在0.3V或上面的轨道上,负瞬变夹在0.3V或以下地下。与...相比,它们非常快 具有更大的结电容的齐纳。齐纳击穿电压在较低的电压下,特别是在两个梭氏上的位置,这不是一些微控制器上的低电压供应的问题。

 

 离线 rrinker.

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Re:EEVBLOG#908 - 齐纳二极管
« 回复#24开: 2016年8月9日,01:26:56 PM»
 有趣的是,你应该提到这一点,我刚刚看到了同样的建议,在现有电路上焊接到迹线的SOT-23格式的一对Schottkeys(在这种情况下,电流检测变压器的次级端子)钳位跨越的电压1K电阻在初级电流下的次级端子上也跨越电流。如同设计,它通常工作正常,但电流更高,导致电阻大大超过其功率容量。与1 / 4W电阻中的2瓦峰值电源一样。哎呀。没有真正的房间放置一个大型沙旁电阻,所以有人想出了肖特基夹紧解决方案。

 


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