作者 主题:12V信号开/关延迟 (Read 427 times)

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离线 vakito

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12V信号开/关延迟
« on: 9月03日,2020年,05:57:12 PM»
大家好,我'M需要简单的12V电路设计,其触发输出到MOSFET的输出,以便可调节的秒数。
当输入打开时,输出应在几秒钟内(示例,5秒),当输入信号关闭时,应发生相同的情况。
希望附加的时序图将更清晰。

非常感谢
彼得
 

离线 Ian.m.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#1开: 03年9月3日,08:04:03 PM»
良好的阵容是施密特触发器,以保证一致的快速输入过渡,XOR边缘检测器和输出脉冲的可重新触杆单位,具有可变定时电阻,全部位于4000系列CMOS逻辑中。 即使您欺骗并使用Quad XOR,其中两个门被绑定为具有正反馈的非反相缓冲区,使其施密特触发器的输入和延迟路径's still two ICs.

我认为你可以用创造性地使用的单个4106六角施密特逆变器来做。 一个门来方形向上方向输入,然后交流将其与短时间常数耦合,从而从两个边缘获得双极脉冲,消除负面的一半,并用另一个门向上平方,留下几个门来实现单驻地。 它*可能*需要晶体管将定时盖放电,比4000 CMOS输出可以管理。
 

离线 Ledtester.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#2开: 03年9月3日,2020年,晚上10:30:15 PM»
找到了这个 //www.electro-tech-online.com/threads/need-advice-on-a-rising-and-falling-edge-sensor-circuit.92431/ which may help:

[attach = 1]

使用CMOS逻辑门的单稳态多谐振荡器的想法:

//www.electronics-tutorials.ws/sequential/seq_3.html


« 最后编辑:2020年9月3日,10:34:48由LedTester下午10:34:48 »
 

离线 格伦特克

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#3开: 03年9月3日,2020年,晚上10:30:46»
这里'用于控制执行器以打开/关闭通风口的电路的一部分。您可以将输出与二极管结合起来做你想要的东西。

 

离线 EBLC1388.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#4开: 9月4日,2020年,06:00:38 AM»
您的问题可以使用555定时器设置为单稳态的5秒定时器来解决。它只需要在输入触发信号的两个边缘触发,以获得所需的输出。
[attachimg = 1]
 
 
以下用户感谢此帖子: Ian.m.

离线 Ian.m.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#5: 9月4日,2020年,06:21:52»
那'S整洁但在缓慢下降的输入信号上工作,因为通过C1的电荷传输速率必须在R1上发挥足够的电压,以便足够硬转动Q1。   我根据需要0.022 v /美国的转换速率计算它,略微超过0.45毫秒。 otoh如果你使用556,  with the other half'S阈值和触发器作为施密特反相缓冲器绑定在一起,具有33%VCC滞后,驱动它它将在甚至非常缓慢的斜坡上工作,如果您可以容忍由宽磁滞禁令引起的滞后。
 

离线 EBLC1388.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#6开启: 9月4日,2020年,07:02:20»
是的,很高兴知道目前的简单实现是否存在后退解决方案'T令人满意地锻炼身体。它仍然是单个芯片解决方案,尽管是556。
 

离线 jfiresto.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#7: 9月4日,2020年,08:36:50»
看看TI.'S CD14538双射击。它具有3-18V电源范围和负极和正边,Schmitt触发器,触发输入。有两个RC对作为边缘探测器,您可能正在查看IC,也许七个增加了案质,其中六个是便宜的。或者,您可以使用两半,并在正边缘上射出一个,在负面边缘和另一半,具有独立的前导和后缘脉冲时间。
« 上次编辑:2020年9月4日,08:39:16 AM由Jfiresto »
 

离线 vakito

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#8开: 9月4日,2020年,10:59:51»
谢谢大家到目前为止的回应,我认为我最好的选择是使用4077 Xnor作为上升和下降沿检测器,然后是一个555个单稳态的时间。

如果有的话,您会在芯片的VDD和VSS之间建议哪种尺寸的电容?

谢谢
 

离线 Ian.m.

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RE:12V信号开/关延迟
« 回复#9: 9月4日,2020年,11:57:16 AM»
依靠。 传统的双极555s(例如Ne555)倾向于'crowbar'当它们切换时,通过射击的供应。 拒绝它们的唯一希望它们是良好的邻居是10UF到100uf的低ESR电解去耦,尽可能靠近供应销。  CMOS '555'S表现得更好。

然而,CMOS碎片通常只需要10nf至100nf陶瓷,以便足够去耦。 如果您在低电压下使用4000系列,则慢速过渡意味着如果您的布局相当紧,则甚至可以离开每个芯片的情况下。
 


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