作者 主题:伽玛和β辐射硅损坏数据 (Read 1861 times)

0会员和1位客人正在查看此主题。

 离线 mimmus78.

  • 支持者
  • ****
  • 帖子:676
  • 国家:  它
伽玛和β辐射硅损坏数据
« on: 2014年10月22日,09:54:02 PM»
有人有一些数据(或者可以指出一些文件)关于硅芯片γ和β辐射造成的损坏?
什么'关于对EEPROM造成损害的可能性?
 

 离线 巴勒尔

  • 支持者
  • ****
  • 帖子:525
  • 国家:  FR.
RE:伽玛和β辐射硅损坏数据
« 回复#1开: 2014年10月23日,06:00:06»
寻找"Total Ionizing Dose" (TID) effects.

空间电子产品非常关注永久(TID)或瞬态(单事件效果(参见) - 单个事件瞬态(SET),单个事件UPSET(SEU),单个比特骤降(SBU),软错误,单事件锁存器(SEL) )由能量粒子引起的效果。

您将在文献中找到有关用于航空航天,军事或核工业使用的设备的TID硬度的大量数据,因为这些设备必须在辐射侵略性的工作环境中工作令人满意。
因此,该设备通过测试的电池限定,其中一个通常是TID测试,该测试包括将电路暴露于CO-60源(发射伽马射线)并在暴露于增加剂量时测量性能/行为劣化辐射。

如果您对整个TID机制感兴趣,只需在谷歌搜索,因为许多研究人员都在努力。如果您需要特定组件的TID数据,则可以在组件中找到此功能'S TID测试报告(虽然您可能必须粗略地问它们)。否则,也许研究人员或美国国家航空航空航空航空航空航空航空航空航军/欧洲航空航空航空航空航空航空航军/欧洲国家/地区

最好的祝福,
 

 离线 mimmus78.

  • 支持者
  • ****
  • 帖子:676
  • 国家:  它
RE:伽玛和β辐射硅损坏数据
« 回复#2开: 2014年10月23日,晚上12:35:34»
嗨丹,谢谢你的帮助!

刚刚搜索谷歌进行TID,并找到了我正在搜索的内容......

http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/papers/nsrec07_Oldham_W40L.pdf

 

 离线 nandblog.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5187
  • 国家:  NL.
  • 当前工作:ATEX认证产品设计
RE:伽玛和β辐射硅损坏数据
« 回复#3开: 2014年10月23日,01:49:05 PM»
大型厂商拥有Rad-Hard和Space Rated产品,我会在这个SObject中寻找它们的任何可用数据。例子:
http://www.ti.com/lsds/sites/ti/high-reliability/files/ROM_Logic.pdf
 

 离线 大卫赫斯

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:12429
  • 国家:  我们
  • 达韦姆
RE:伽玛和β辐射硅损坏数据
« 回复#4开: 2014年10月25日,03:21:08 PM»
有人有一些数据(或者可以指出一些文件)关于硅芯片γ和β辐射造成的损坏?

我有哈里斯辐射手册(带红色和黑色绑定的厚实的精装书),但我从未见过任何地方可用。

引用
什么'关于对EEPROM造成损害的可能性?

我只是在这里通过记忆。 辐射将导致浮栅中的缺陷,并以类似于擦除和编程循环磨损浮栅晶体管的方式移动阈值电压。 最终这意味着现有单元格将改变状态,或者将更加困难或无法完成程序周期的擦除部分。
 


分享我

 掘客    Facebook    诽谤   可口的  Technorati.   推特    谷歌    雅虎
SMF.