作者 主题:如何从+ 5V脉冲生成+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式! (Read 9647 times)

0成员和8位客人正在查看此主题。

离线 MK14

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:2940
  • 国家: GB.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#25 on: 2016年12月25日,01:29:44»
它赢得了RS-232司机的麻烦 'T能够输出所需的100mA。电流通常限制,所​​以小的诸如10mA的东西。电压降也会高于配置为公共发射极放大器的普通旧晶体管。

源,旧75188的数据表。
http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?genericPartNumber=mc1488&fileType=pdf

目前可能存在更高的ICS,电流输出可能更好。如果有人知道任何话,请说。

有许多例子,如st's L6362A.

ST'有关更多选项的选择指南:
http://www.st.com/content/ccc/resource/sales_and_marketing/promotional_material/selection_guide/group0/ac/24/ac/22/0d/da/4e/40/sgips/files/sgips.pdf/jcr:content/translations/en.sgips.pdf

这可以做出0.3放大器输出(可调限值)。
http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/12/f7/23/8b/fa/07/48/98/DM00170703.pdf/files/DM00170703.pdf/jcr:content/translations/en.DM00170703.pdf

大约2.12英镑的一个's。目前可用和库存。
http://www.digikey.co.uk/product-detail/en/stmicroelectronics/L6362A/497-16410-ND/5962628

« 上次编辑:2016年12月25日,01:33:24 AM由MK14 »
 

离线 Brianhg.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5167
  • 国家: 加利福尼亚州
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#26: 2016年12月25日,01:32:48»
它赢得了RS-232司机的麻烦 'T能够输出所需的100mA。电流通常限制,所​​以小的诸如10mA的东西。电压降也会高于配置为公共发射极放大器的普通旧晶体管。

使用带有4个输出的发射器IC,并行地连接,每个MC1488为0.50 $。  http://www.ti.com/lit/ds/symlink/mc1488.pdf
HMMM,OK,带有当前有限的设备,您'通过这种方式获得+/- 40mA,我们将在彼此之上坐2或3来获得100mA。

以AB发射器/追随者在AB发射器中驾驶1个发射器的输出并驾驶2N3904和2N3906'S一个50cent IC + 2 x 5肠晶体管,可选的2×1欧姆电阻系列在发射器之间的串联,您将获得+/- 14.5V,以100mA的干净踢球。 如果您使用熔派晶体管,您将获得超过+/- 1AMP输出。 该电路摆脱了先前电路中的所有这些二极管/帽/电阻+不担心两个晶体管同时接通。 如果您需要完整的+/- 15V,我只会通过0.5V提高电源。



« 上次编辑:2016年12月25日,01:51:24 Brianhg »
__________
Brianhg。
 

离线 MK14

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:2940
  • 国家: GB.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#27: 2016年12月25日,02:08:04»
使用带有4个输出的发射器IC,并行地连接,每个MC1488为0.50 $。  http://www.ti.com/lit/ds/symlink/mc1488.pdf
HMMM,OK,带有当前有限的设备,您'通过这种方式获得+/- 40mA,我们将在彼此之上坐2或3来获得100mA。

以AB发射器/追随者在AB发射器中驾驶1个发射器的输出并驾驶2N3904和2N3906'S一个50cent IC + 2 x 5肠晶体管,可选的2×1欧姆电阻系列在发射器之间的串联,您将获得+/- 14.5V,以100mA的干净踢球。 如果您使用熔派晶体管,您将获得超过+/- 1AMP输出。  该电路摆脱了先前电路中的所有这些二极管/帽/电阻+不担心两个晶体管同时接通。 如果您需要完整的+/- 15V,我只会通过0.5V提高电源。

比喻:
我常见的感觉论点(同意你刚才所说的,以及我在这个线程之前的类似线条上所说的话),如果项目/设计/要求,基本需要一些逻辑门,触发器和一个简单的放大器执行它。
忽略您在实践中选择使用MCU或类似的事实。

你可能会使用一些IC'S,例如74HC四号NAND,二进制计数器和OP-AMP IC。

而不是用25个离散的晶体管和MOSFET弄乱。还有几十二极管,电阻器和小电容器。

所以我不'T必须明白为什么这个线程解决方案应该是任何不同的。
 

离线 JacquesBBB.

  • 频繁的贡献者
  • **
  • 帖子:784
  • 国家: FR.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#28 on: 2016年12月25日,06:00:48»
问题jacquesbbb,您是否有任何用于使用2n7000的小信号MOSFET或VP2106而不是BJT?
您是否接受一个恒定的电流源单个结束类输出? 这意味着您的电源将在低输出期间汲取100mA和200mA,这取决于您的负载,以及根据负载的高输出,0mA和100​​mA。 你的晶体管也会变得艰难......

是的,这将有资格获得我的初步问题。 向我们展示您的解决方案。
 

离线 MK14

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:2940
  • 国家: GB.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#29开: 2016年12月25日,10:20:54 AM»
另一种执行方法是使用的(单程电源运算放大器,有许多不同的可用方式,这只是一个示例)......
on-Semi.'S LA6500-E,可提供大约AMP,最高可达+/- 15V(或30V DC)。
它位于A到220-5H的情况下,如果需要,它可以很容易地散热。
有货,每次1.45英镑。
http://www.digikey.co.uk/product-detail/en/on-semiconductor/LA6500-E/LA6500-EOS-ND/2748211

数据表:
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/LA6500-D.PDF

是的,它可以由离散晶体管和许多被动组件设计出来。但为什么要烦恼(除非你想这样做乐趣,或者创建复古/复古项目等)。但意见可能会有所不同(何时使用IC和何时使用谨慎),这很好。
或者您也可以通过在其输出上使用正常的OP-AMP和电源晶体管或MOSFET进行反馈来进行,以制作自己的Power Op-AMPS。
(从我的原始帖子编辑,缩短并制作更多的通用目的)。
« 上次编辑:2016年12月25日,由MK14下午12:01:58 »
 

离线 MK14

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:2940
  • 国家: GB.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#30: 2016年12月25日,10:48:41»
是的,这将有资格获得我的初步问题。 向我们展示您的解决方案。

在所有公平的原始问题中。
它确实看起来(快速浏览),就像可以用几个离散的组件和技能的一些分立的组件解决的东西。总果冻豆豆零件1美元。

但在实践中,它看起来像(因为他人已经说过)有多种原因,可能不是这种情况。如顶部和底部晶体管的问题,同时导通,水平换档等。

I'遇到了这种现象,电子产品中的许多其他东西。在组件成本的那里,每个人都说5英镑。然而,一个人确信,0.03英镑的成分应该能够做到。
只有当您充分了解所有技术问题和问题时,当您意识到5英镑的组件时,您要做的是,只有5英镑的组件,只有每一分钱。

例如。 £299 Fluke Multiber VS£1 BARGAIN BIN万用表。
« 上次编辑:2016年12月25日,10:51:44 am by mk14 »
 

在线的 ZERO999.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:15328
  • 国家: GB.
  • 0999
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#31开: 2016年12月25日,04:36:38 PM»
它赢得了RS-232司机的麻烦 'T能够输出所需的100mA。电流通常限制,所​​以小的诸如10mA的东西。电压降也会高于配置为公共发射极放大器的普通旧晶体管。

源,旧75188的数据表。
http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?genericPartNumber=mc1488&fileType=pdf

目前可能存在更高的ICS,电流输出可能更好。如果有人知道任何话,请说。

有许多例子,如st's L6362A.

ST'有关更多选项的选择指南:
http://www.st.com/content/ccc/resource/sales_and_marketing/promotional_material/selection_guide/group0/ac/24/ac/22/0d/da/4e/40/sgips/files/sgips.pdf/jcr:content/translations/en.sgips.pdf

这可以做出0.3放大器输出(可调限值)。
http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/12/f7/23/8b/fa/07/48/98/DM00170703.pdf/files/DM00170703.pdf/jcr:content/translations/en.DM00170703.pdf

大约2.12英镑的一个's。目前可用和库存。
http://www.digikey.co.uk/product-detail/en/stmicroelectronics/L6362A/497-16410-ND/5962628



还有其他因素是成本。例如,L6362A需要回流烤箱,许多人都不't have.


另一种执行方法是使用的(单程电源运算放大器,有许多不同的可用方式,这只是一个示例)......
on-Semi.'S LA6500-E,可提供大约AMP,最高可达+/- 15V(或30V DC)。
它位于A到220-5H的情况下,如果需要,它可以很容易地散热。
有货,每次1.45英镑。
http://www.digikey.co.uk/product-detail/en/on-semiconductor/LA6500-E/LA6500-EOS-ND/2748211

数据表:
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/LA6500-D.PDF

是的,它可以由离散晶体管和许多被动组件设计出来。但为什么要烦恼(除非你想这样做乐趣,或者创建复古/复古项目等)。但意见可能会有所不同(何时使用IC和何时使用谨慎),这很好。
或者您也可以通过在其输出上使用正常的OP-AMP和电源晶体管或MOSFET进行反馈来进行,以制作自己的Power Op-AMPS。
(从我的原始帖子编辑,缩短并制作更多的通用目的)。
我会'T推荐OP-AMP,这将非常缓慢。通过体面上升/下降时间产生10kHz的正方形需要高压速率,许多OP-AMPS也需要一段时间以在输出饱和时恢复到供应轨时。 La6500肯定赢了'做。它的转换率仅为0.15V /?S,需要200μs到-15V至+ 15V,而不是在饱和时所需的时间,这是一个't在数据表上指定。 10kHz波形的时期为100μs。

比较器会更好,但可能很难找到从+/- 15电源运行的,并且具有+/- 15V推挽输出。

一个H-Bridge IC,例如SN754410或L293D,是另一个选项,但它仍然需要级别移位,因为大多数H桥IC仅级别向上移动,而不是向下移动。

http://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn754410.pdf
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/l293.pdf
 

离线 MK14

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:2940
  • 国家: GB.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#32开启: 2016年12月25日,05:42:29 PM»
你'右转,抱歉(包装,慢速速率等)。
但这取决于他们想要做的事情,这是从OP中对我不清楚的。
你可以得到相当更好的,但我不'T TOW THAME,他们想要做什么,为他们选择合适的事情。

我也同意你的看法。在一些用例中,权力运算放大器将是错误的选择。

我搞砸了这篇文章,缩短了太多了。
不幸的是,我删除了这一部分,这解释了你可以获得很多不同的不同。
所以继续选择合适的一个,以满足您自己的要求。
自I.'m不是100%确定这些要求是什么,我会把它留给用户,选择哪一个去。

您可以以不同的案例样式达到您的偏好。

这个例子是通过漏洞......

它需要20 ns以达到最终价值。 (或200ns,具体取决于您正在测量和/或配置它的内容。通过快速查看一些测试图。一世'D需要了解更多,计算更好的数字。
但可以从提供的细节完成。但我更愿意更彻底地做事。

每人超过4英镑。

http://www.digikey.co.uk/product-detail/en/linear-technology/LT1010CT-PBF/LT1010CT-PBF-ND/891417
数据表:
http://cds.linear.com/docs/en/datasheet/1010fe.pdf

Power Op-AMPS只是一系列IC,可以这样做。
还有许多其他类型也会做到这一点。我只是想展示其中一种方式。
« 最后编辑:2016年12月25日,05:50:42 PM由MK14 »
 

离线 Brianhg.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5167
  • 国家: 加利福尼亚州
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#33开: 2016年12月26日,上午12:08:11»
这是我的超级简单5个组件解决方案。  I hope I didn't打破原始问题's rules.
现在,在附件的原理图中,只有5个部分。
虽然,由于Q1最多3瓦最多辐射,我必须使用比2N3906更强大的东西,并能够添加散热器。
电阻R1要求+ 15V为+ 15V,加(R1可能需要调谐!)随着晶体管加热,100mA恒流源将增加,但是,这一点't打破规则,它不会影响功能。
MOSFET Q2'在4.5V时,S RDS非常低,输出将是-15V,CC上拉的Q1和100mA输出负载组合。 在这种情况下,-15V电源将具有200mA的负载,而+ 15V电源将始终具有100mA负载。
输出显然是反转的。
您可以在齐纳中添加100k电阻,您希望MOSFET在没有交换输出的情况下默认为OFF。

这不是最好的解决方案,只是最少的部分,没有上电令人担忧。
__________
Brianhg。
 

在线的 ZERO999.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:15328
  • 国家: GB.
  • 0999
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#34开: 2016年12月26日,上午12:20:41»
电阻R1要求+ 15V为+ 15V,加(R1可能需要调谐!)随着晶体管加热,100mA恒流源将增加,但是,这一点't打破规则,它不会影响功能。
我认为它可能会严重影响功能。那里'众大的热失控风险。随着晶体管升温的电流增加,使其能够进一步消散更多的功率和晶体管。该正反馈回路可能导致晶体管的破坏。您需要一个发射极电阻,加上几个二极管钳位的基极电压,限制电流到安全水平。


« 最后编辑:2016年12月26日,12:30:58由英雄999 »
 

离线 Brianhg.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5167
  • 国家: 加利福尼亚州
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#35开启: 2016年12月26日,上午12:38:09»
电阻R1要求+ 15V为+ 15V,加(R1可能需要调谐!)随着晶体管加热,100mA恒流源将增加,但是,这一点't打破规则,它不会影响功能。
我认为它可能会严重影响功能。那里'众大的热失控风险。随着晶体管升温的电流增加,使其能够进一步消散更多的功率和晶体管。该正反馈回路可能导致晶体管的破坏。您需要一个发射极电阻,加上几个二极管钳位的基极电压,限制电流到安全水平。

是的,在AB的ABPS中,PNP和NPN的发射器只与β,AMPS略有增加,AMPS,是的,从0.01到0.1,那么.5,然后1,然后2 ...加速像疯狂和热跑掉的烟雾杀死这种设计。 请记住,TEMP的变化也会改变已经调整的两个晶体管的VBE特征,以摆脱正负之间的电压间隙!

请记住,这不是一个有1个发射器的发射器跟随放大器,与坐在偏置边缘上的接下来,调谐偏置边缘,以消除正极和负之间的电压间隙。 热变化不会影响电路中的电流超过100mA,仍在安全余量内运行。

这是一个常见的发射极限amp。 无论晶体管TEMP如何,在15V上跨越基座的电流约为1.7mA。 晶体管以25度额定电流增益为60。 结果是晶体管应在100mA下CC,并用该电路使用50/50占空比辐射1.5W。 现在当晶体管加热时,我所选择的晶体管的最大电流增益在150摄氏度为100。 这将仅将CC至167mA增加到167mA,或2.5瓦,具有50/50占空比。 自目前是不是'T Sky Rocketing就像使用PNP和NPN发射器配置时,此电路不会完全失控。
« 上次编辑:2016年12月26日,12:47:04 AM by Brianhg »
__________
Brianhg。
 

离线 nihaomike.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:7066
  • 国家: 我们
  • "Don'打开它 - 将其分开!"
    • Facebook Page.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#36开启: 2016年12月26日,01:07:13 AM»
这是我的超级简单5个组件解决方案。  I hope I didn't打破原始问题's rules.
现在,在附件的原理图中,只有5个部分。
虽然,由于Q1最多3瓦最多辐射,我必须使用比2N3906更强大的东西,并能够添加散热器。
电阻R1要求+ 15V为+ 15V,加(R1可能需要调谐!)随着晶体管加热,100mA恒流源将增加,但是,这一点't打破规则,它不会影响功能。
MOSFET Q2'在4.5V时,S RDS非常低,输出将是-15V,CC上拉的Q1和100mA输出负载组合。 在这种情况下,-15V电源将具有200mA的负载,而+ 15V电源将始终具有100mA负载。
输出显然是反转的。
您可以在齐纳中添加100k电阻,您希望MOSFET在没有交换输出的情况下默认为OFF。

这不是最好的解决方案,只是最少的部分,没有上电令人担忧。

将双极与NPN用发射器更改为输出和收集器到电源。将基本电阻更改为一个进入电源,其值取决于下垂和功耗您的值'回复。将MOSFET漏极移动到NPN的底座,然后通过从输出中添加二极管来完成设计,以便MOSFET可以拉下输出。

一个变型,它将使用第二N通道MOSFET而不是双极和电荷泵获得足够的栅极驱动电压。另一个步骤是添加一个小NPN和二极管以加速栅极的接通。那'这次使用的方式矫枉过正,但我​​已经看到这种设计在廉价的逆变器中。没有射击,短暂的死区时间是其主要优势。主要的缺点是它不起作用't tristate.
Cryptocurrency教会了我喜欢数学,同时陷入困境。

加密货币课0:阿尔菌素和比特币不是一回事。
 

离线 Brianhg.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5167
  • 国家: 加利福尼亚州
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#37 on: 2016年12月26日,01:47:11»
将双极与NPN用发射器更改为输出和收集器到电源。将基本电阻更改为一个进入电源,其值取决于下垂和功耗您的值'回复。将MOSFET漏极移动到NPN的底座,然后通过从输出中添加二极管来完成设计,以便MOSFET可以拉下输出。

一个变型,它将使用第二N通道MOSFET而不是双极和电荷泵获得足够的栅极驱动电压。另一个步骤是添加一个小NPN和二极管以加速栅极的接通。那'这次使用的方式矫枉过正,但我​​已经看到这种设计在廉价的逆变器中。没有射击,短暂的死区时间是其主要优势。主要的缺点是它不起作用't tristate.
我明白你做了什么。 使用3个MOSFET总,几个盖子和2个额外的二极管,可以制作+/- 4放大器,靠近零功率浪费+/- 15V开关,只使用我的电路中的相同MOSFET。 您还应该能够在这样的方案中使用2n7000,但是,对于栅极的4.5V为4.5V的开关仅略高于300mA。
我试图在15V和-15V的右转右转,可以在-15左右获得,可能是最少的零件。 MOSFET上的超低RDS恒定电流晶体管AMP技巧是快速的廉价根。 制作引导输出开关消除了所有浪费的电流,但是,需要带有其高侧门的附加开关'S自己的保护二极管+充电帽。
« 上次编辑:2016年12月26日,01:55:05 Brianhg »
__________
Brianhg。
 

离线 nihaomike.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:7066
  • 国家: 我们
  • "Don'打开它 - 将其分开!"
    • Facebook Page.
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#38 on: 2016年12月26日,02:02:43»
将双极与NPN用发射器更改为输出和收集器到电源。将基本电阻更改为一个进入电源,其值取决于下垂和功耗您的值'回复。将MOSFET漏极移动到NPN的底座,然后通过从输出中添加二极管来完成设计,以便MOSFET可以拉下输出。

一个变型,它将使用第二N通道MOSFET而不是双极和电荷泵获得足够的栅极驱动电压。另一个步骤是添加一个小NPN和二极管以加速栅极的接通。那'这次使用的方式矫枉过正,但我​​已经看到这种设计在廉价的逆变器中。没有射击,短暂的死区时间是其主要优势。主要的缺点是它不起作用't tristate.
我明白你做了什么。 使用3个MOSFET总,几个盖子和2个额外的二极管,可以制作+/- 4放大器,靠近零功率浪费+/- 15V开关,只使用我的电路中的相同MOSFET。 您还应该能够在这样的方案中使用2n7000,但是,对于栅极的4.5V为4.5V的开关仅略高于300mA。
我试图在15V和-15V的右转右转,可以在-15左右获得,可能是最少的零件。 MOSFET上的超低RDS恒定电流晶体管AMP技巧是快速的廉价根。 制作引导输出开关消除了所有浪费的电流,但是,需要带有其高侧门的附加开关'S自己的保护二极管+充电帽。

设计的巧妙部分是底部MOSFET充当顶部MOSFET或双极的驱动器。必须处理完整输出电流的唯一其他部分是二极管。
Cryptocurrency教会了我喜欢数学,同时陷入困境。

加密货币课0:阿尔菌素和比特币不是一回事。
 

离线 Brianhg.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5167
  • 国家: 加利福尼亚州
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#39开: 2016年12月26日,02:19:40 AM»
设计的巧妙部分是底部MOSFET充当顶部MOSFET或双极的驱动器。必须处理完整输出电流的唯一其他部分是二极管。
Ooops,我拍了一步一步,嗯,原来的问题是尽可能简单,1个晶体管和1个MOSFET。
I'LL在几个小时内发布我的引导电路。 在我的电路中,没有电流在二极管上被驱动,但是,它确实需要添加用作逆变器门的2n7000。
__________
Brianhg。
 

在线的 ZERO999.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:15328
  • 国家: GB.
  • 0999
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#40开启: 2016年12月26日,09:59:04»
电阻R1要求+ 15V为+ 15V,加(R1可能需要调谐!)随着晶体管加热,100mA恒流源将增加,但是,这一点't打破规则,它不会影响功能。
我认为它可能会严重影响功能。那里'众大的热失控风险。随着晶体管升温的电流增加,使其能够进一步消散更多的功率和晶体管。该正反馈回路可能导致晶体管的破坏。您需要一个发射极电阻,加上几个二极管钳位的基极电压,限制电流到安全水平。

是的,在AB的ABPS中,PNP和NPN的发射器只与β,AMPS略有增加,AMPS,是的,从0.01到0.1,那么.5,然后1,然后2 ...加速像疯狂和热跑掉的烟雾杀死这种设计。 请记住,TEMP的变化也会改变已经调整的两个晶体管的VBE特征,以摆脱正负之间的电压间隙!

请记住,这不是一个有1个发射器的发射器跟随放大器,与坐在偏置边缘上的接下来,调谐偏置边缘,以消除正极和负之间的电压间隙。 热变化不会影响电路中的电流超过100mA,仍在安全余量内运行。

这是一个常见的发射极限amp。 无论晶体管TEMP如何,在15V上跨越基座的电流约为1.7mA。 晶体管以25度额定电流增益为60。 结果是晶体管应在100mA下CC,并用该电路使用50/50占空比辐射1.5W。 现在当晶体管加热时,我所选择的晶体管的最大电流增益在150摄氏度为100。 这将仅将CC至167mA增加到167mA,或2.5瓦,具有50/50占空比。 自目前是不是'T Sky Rocketing就像使用PNP和NPN发射器配置时,此电路不会完全失控。
我看到你的逻辑,但仍然没有't think it'依靠BJT的HFE依赖于特定价值的好的设计练习。数据表上的增益可以指定为60 @ 25oC只是典型的价值。实际上,它可能会超过两倍,所以你'D调整散热器时需要考虑到这一点。另一方面,在低温下,增益可能会降低,因此在它开始工作之前需要热身。
 

离线 bktemp.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:1623
  • 国家: 德
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#41开启: 2016年12月26日,上午11:59:16»
如果允许交流耦合,HERO999的电路全电路是一个良好的开端。
如果卸下所有电阻并仅在输入时使用单个电阻,则切换过程中几乎没有交叉导通,因为如果另一个晶体管的基极达到0V基极发射极电压,则电压只能打开一个晶体管。
唯一的问题是开启,但如果电源电流限制并缓慢地打开这一点't be a big problem.
我经常使用类似的电路来使用+/- 5V驱动12V锁定继电器。
 

在线的 ZERO999.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:15328
  • 国家: GB.
  • 0999
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#42开启: 2016年12月26日,06:09:38 PM»
如果允许交流耦合,HERO999的电路全电路是一个良好的开端。
如果卸下所有电阻并仅在输入时使用单个电阻,则切换过程中几乎没有交叉导通,因为如果另一个晶体管的基极达到0V基极发射极电压,则电压只能打开一个晶体管。
唯一的问题是开启,但如果电源电流限制并缓慢地打开这一点't be a big problem.
我经常使用类似的电路来使用+/- 5V驱动12V锁定继电器。
那可以简化它。具有两个基础电阻的想法是限制瞬态的转弯。与二极管串联的其他电阻器没有't do much though. I'D仍然包括发射极电阻和夹紧二极管,除非您'确定电源是充分的电流限制。简化事物d1&D2可以是2.7V齐纳二极管,然后2R2发射极电阻器会将开关限制在瞬态至约1A上。
 

离线 Brianhg.

  • 超级贡献者
  • ***
  • 帖子:5167
  • 国家: 加利福尼亚州
Re:如何从+ 5V脉冲产生+ 15V和-15V脉冲?最简单的方式!
« 回复#43开: 2016年12月27日,02:29:26»
如果允许交流耦合,HERO999的电路全电路是一个良好的开端。
如果卸下所有电阻并仅在输入时使用单个电阻,则切换过程中几乎没有交叉导通,因为如果另一个晶体管的基极达到0V基极发射极电压,则电压只能打开一个晶体管。
唯一的问题是开启,但如果电源电流限制并缓慢地打开这一点't be a big problem.
我经常使用类似的电路来使用+/- 5V驱动12V锁定继电器。

只需将2个电阻放在设计中的基本输入,C1和C2中的基本输入,将输入连接到2个电阻的中心&使用价值,在使用3904/3906时约为2.2k,将上电电流限制为短400-600ma峰值,因为盖子充电,并限制了大约100mA的输出操作电流。 这将是我选择少数零件和安全上电和优雅电路解决方案的最佳解决方案。 现在,该解决方案依赖于输入击中0和5伏轨,同等地使用2.2kohm负载。

请注意,通过所有这些解决方案,参考您的数字IO GND左右1V的+/-PSP上的纹波噪声可能导致晶体管偶尔开启。 您应该在晶体管发射器上向您的IO GND解耦盖's output connector. (此问题包括我的MOSFET电路......)
« 上次编辑:2016年12月27日,02:51:23 Brianhg »
__________
Brianhg。
 


分享我

掘客  Facebook  诽谤  可口的  Technorati.  推特  谷歌  雅虎
SMF.