作者 主题:现实生活中的MOSFET平行可靠性 - 更小的VS更大 (Read 1699 times)

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#25 on: 2019年9月23日,晚上12:50:10»
谐振有一个令人惊讶的宽输出范围,虽然我'm不确定它在给定范围内有多有效。  I haven't tested it much. 最大增益取决于Q因子,Q因子取决于负载,因此当输出电压上升时,电流限制必须下降(真的是说,你'在不同的阻抗Z_L〜VOUT / IOUT处重新点击从罐中的恒定部分。 var实际上会与q一起上升,除了那里'逆变电流限制(通常在罐电容器电压上以差分器实现;相同的东西),防止它在卸载条件下爆炸。

什么'你用快门驱动器的关注吗?  It'S不像你可以以任何有意义的方式处理A到247的寄生和DI / DT。  You can'T将缓冲器放在距离开关中的任何超过10nh。

什么 are you doing, CC/CV supply, full variable range?

蒂姆
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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#26: 2019年9月23日,下午12:52:16»
可能也有价值 如果使用某种两级设计或低/高压转换器,如果电源只需要〜1500W,则需要650V轨道30A峰值。 
这意味着超过1:10输出电压范围 调整能力或类似的空间。 
 

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#27: 2019年9月23日,01:49:07 PM»
什么'你用快门驱动器的关注吗?  It'S不像你可以以任何有意义的方式处理A到247的寄生和DI / DT。  You can'T将缓冲器放在距离开关中的任何超过10nh。

什么 are you doing, CC/CV supply, full variable range?
蒂姆
随着今天的功能强大而快速的驱动因素,如IXD_614,将给我在CL 4NF和输出电阻大约200-300 Mohm时给我下降时间约为10ns。

我需要关闭大约20ns @ 30a,门驱动器不应该是一个有足够负面偏差的大问题
有一些SMD二极管,以在电路板的相对侧从变压器和电源轨上升电压以获得低电感路径返回电容器
它可能有效(至少在我的头上,它可以在实验室中产生大爆炸)

输出信封或多或少地限于恒定功率,约100A和80V的极限,具有实际输出特性由软件控制从CC到CV和奇怪的形状。
 

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#28 on: 2019年9月23日,05:38:27 PM»
当然,它们存在。  But that'它与我的陈述正交'不是一个反驳它's just another fact?

嗯,来思考它,低至10nh不应该'是必要的,只要峰值当前真的不是't much over 30A.  <60nh应该足够。 您仍然必须弄清楚某种聪明的门驱动器 - 理想情况下,使用带有Kelvin驱动器端子的晶体管。 否则,即使切换环路很紧,源引脚ESL退化了高频的增益,即使栅极驱动器很强。

不知你'LL能够以SI PN二极管拆除捕获二极管,或者需要使用1200V SIC。

如果你'由于效率而欣赏速度,考虑降低频率,或使用谐振转换器前端,供电同步降压(可能是多相)输出。 谐振仍然可以在适度范围内提供预调节,但我不'知道这真的可以帮助你;巴克仍然需要处理全系列。

当然,更加烦恼,但更有可能符合我思考的这些要求。

请注意,80V和100A是完整的8KVA操作范围,因此您需要为变频器尺寸为此容量。  Even if you'仅在任何给定的条件下使用1.5kW。 切换损耗作为总8kVA范围的一小部分 - 无论您是均可提供所有电容和电感和电压和电压和电流摆动'重新使用它们。  That'对于为什么谐振在这里非常有吸引力,开关环距在每个循环中搅拌到供电中,不需要切换损耗。

(也有共振的降压配置,但它们'类似地限制输入或输出范围。)

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#29开: 2019年9月23日,06:22:31 PM»
初级电流达到约100A输出的30A达到峰值
我没有看到任何SI高压晶体管与Kelvin铅,只是SIC,我想要的,所以只需推动驱动电压更高

我不需要最大的效率,只需具有可冷却的半导体并在温度下具有变压器即可"melt" (up to 120°C)
并保持合理简单的控制算法

我将跳过一些关于寄生的波形的模拟
 

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#30: 2019年9月23日,08:33:11 PM »
切换损耗作为总8kVA范围的一小部分 - 无论您是均可提供所有电容和电感和电压和电压和电流摆动'重新使用它们。

蒂姆

如果你有截肢单位,  interleaved or not, 仅作为给定负载所需的电源供电。这也允许您优化转换器效率,因为它们只需要在固定输出电流下运行, 电压或电源(当然是其中之一)。控制可能很有趣 - 特别是对于更多的动态负载。
 

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#31开: 2019年9月24日,05:21:57»
在轻盈的发动机上滴下圆筒,很好。

适用于多通道(通常相位),在一系列电流范围内并行变量;在一系列电压(串联输出堆栈)上更难做到,但也可以以这种方式排列。

您甚至可以制作两者的网格,例如,如此,如此,如此遍布的许多频道,并且删除由于恒定功率曲线而未使用的通道!

在大nxm限制中,每个阶段都可以是无论哪种类型的类型(可能是谐振)的固定V / I转换器,并且它将是二维功率DAC。 只需根据需要转动频道。 可能是二进制系列;嗯,也许不是严格的二进制,但是一元编码的n-ary可能由于部件重用而更便宜(即,使用SAY基础3,其中每个数字编码为00,01,11)。

并且毕竟,您仍然可以使用连续的部分,这甚至可以是线性的,以填补剩余的间隙,同时成本效率很少。

可能,由于纯粹的零件数量成本和尺寸,而不是效率的效率,或者由于重复而效率的效率储蓄,或者效率损失,所有的理想N和M都非常小。

蒂姆
« 上次编辑:2019年9月24日,05:29:54 AM通过T3SL4Co1L »
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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#32开启: 2019年9月24日,03:19:41 PM»
所以我把它放在香料里,期待紧密布局以保持电感低
模拟结果很有希望,开启是非常柔软的,而且关闭它仍然可管理(我知道真正的二极管会比LTSPICE的那些),二次方面也应该没用200V肖特基斯
晶体管型号来自英飞凌库,+ -15V驱动
甚至计算的缓冲损失也不巨大

所以我值得尝试构建原型
 

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Re:MOSFET在现实生活中的平行可靠性 - 更小的比较较大
« 回复#33开: 2019年9月25日,10:57:09»
您的SIM模型不起作用'T有任何共用源电感?
 


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